热资讯!ATP 推出工业级176层PCIe®Gen 4 x4 M.2, U.2固态硬盘(SSD)

来源: 互联网2023-06-30 02:04:32
  

最快一代的PCIe数据传输速率比起Gen 3翻倍,并减少延迟,提供卓越的读写性能

专业存储和内存解决方案的全球领导者ATP推出其最新的高速N601系列M.2 2280和U.2固态硬盘(SSD),具有第四代PCIe®接口并支持NVMe™协议。新的ATP PCIe Gen 4 SSD的数据传输速率达到16 GT /s,是上一代的两倍,每个PCIe通道的带宽为2GB/s。


(资料图片仅供参考)

使用x4通道,这些SSD的最大带宽为8 GB/s,满足当今苛刻应用中对高速数据传输日益增长的需求,并使其适用于读/写密集型,任务关键型工业应用,如网络/服务器,5G,数据记录,监控和成像,其性能与市场上主流的PCIe第4代消费级SSD相当,甚至更好。

176层NAND闪存,板载DRAM提供卓越的QoS,每GB成本更低,采用顶级 512 Gbit芯片封装

N601系列基于创新的176层3D NAND闪存,采用顶级 512 Gbit芯片封装,不仅在64层技术的基础上实现了性能提升,而且还实现了价格改善,降低了每GB成本。

M.2 2280固态硬盘(SSD)的容量从240GB到3.84 TB不等,而U.2固态硬盘(SSD)的容量从960GB到7.68 TB不等,为不同的存储需求提供了更具成本效益的选择

与上一代相比,N601系列具有杰出的服务质量(QoS)评级,具有最佳的一致性和可预测性,具有更高的读/写性能,高IOPS,低写放大指数(WAI)和低延迟,这得益于其板载DRAM。与无DRAM方案相比,板载DRAM在长时间运行中提供更高的持续性能

未来就绪,长期供应保障

最大化SSD的使用寿命,以及在类似的消费级同类产品停止生产后很长一段时间内替代组件的有效性,对于企业从投资中获得最大收益非常重要。这就是为什么ATP致力于长期供货支持。

“我们很高兴推出这一基于176层三层单元(TLC) NAND闪存的新产品线。虽然有2XX+层的NAND新版本即将发布,但它们将专注于1TB和更大的密度尺寸。考虑到许多嵌入式和专业应用对中低容量SSD设备的持续需求,512 Gbit的176层3D TLC NAND仍然是最佳芯片密度。

“除了具有竞争力的价格外,这一代产品还将在所有温度范围内改善延迟和可靠性。也许对我们的客户群更重要的是,这一代将对于可预见的未来提供产品长期供货。ATP总裁兼首席执行官Jeff Hsieh表示:“我们可以自信地与需要5年以上产品长期供货规划的客户合作。”

运行可靠且安全

N601系列提供了许多可靠性、安全性和数据完整性功能,例如:

End-to-end数据保护,TRIM功能支持,LDPC纠错抗硫化电阻器可抵御硫污染的破坏性影响,即使在高含硫量的环境中也能保证持续可靠的运行基于硬件的AES 256位加密和可选的TCG Opal 2.0/ IEEE 1667安全性,用于自加密驱动器(SED)N601Sc系列在商业级温度(0℃至70℃)额定值的不同温度变化下提供可靠的运行。工业级温度(-40℃至85℃)的N651Si系列将在不久之后发布。热节流(Thermal throttling)功能:智能调节每操作单位时间的工作量。节流阶段是预先配置的,允许控制器有效地管理热量的产生,以保持SSD冷却。这确保了稳定的持续性能,并防止热量损坏设备。同时也可根据项目和客户需求提供外加散热器选项。断电保护 (PLP)机制。N601系列U.2和即将推出的工业级温度M.2 2280固态硬盘具有基于硬件的PLP。板载电容保持足够长的电力,以确保最后的读/写/擦除命令完成,数据安全地存储在非易失性闪存中。基于微控制器单元(MCU)的设计允许PLP阵列在各种温度,电源故障和充电状态下智能执行,以保护设备和数据。另一方面,商业级温度M.2 2280固态硬盘具有基于固件的PLP,可以有效地保护已写入的数据不会因为掉电而丢失。

关键任务应用:我们与您一起构建

根据项目支持和客户要求,ATP可以提供硬件/固件定制,热节流解决方案定制以及工程联合验证和协作。

为了确保关键任务应用的设计可靠性,ATP执行广泛的测试,全面的设计/产品特征和规格验证,以及批量生产(MP)阶段的定制测试,例如老化,电源循环,特定测试脚本等。

产品亮点

*By Project Support

ATP_Gen 4 M.2 2280 NVMe

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

ATP_Gen 4 M.2 2280 NVMe_pic3

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ATP-Gen4-U.2-NVMe_N601Sc

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